ПОДПИСКА НА ЖУРНАЛ ОН-ЛАЙН ФОРУМ
  english version home   |   mail   |   tree
Головна Про журнал Архів Передплата Розміщення реклами КОНТАКТИ
chip
 Рубрикатор

ПОТОЧНИЙ НОМЕР

#1 2024

#1 2024

КОНТАКТИ





Рубрикатор


Марко Хонсберг (Marco Honsberg), Ніклас Хофстоттер (Niklas Hofstötter); Переклад та редагування: Володимир Павловський
IGBT драйвер із підвищеною стійкістю ізоляції для напруг до 1500 В постійного струму для 2­ та 3­рівневих промислових застосувань

Драйвери IGBT SKYPER ізолюють і передають сигнали керування, генеровані мікропроцесором, від схем низької напруги до зони високої напруги силових напівпровідників. Окрім важливої функції передачі сигналу, у цій публікації також буде розглянуто стійкість ізоляції та надійність драйверів SKYPER разом із спеціальними стратегіями захисту для 2­ та 3­рівневих рішень, реалізованих за допомогою найсучасніших ASIC.

1
2024
Ерік Персон (Eric Persson); Переклад та редагування: Віталій Шевченко
Перспективи використання GaN­технології для керування електроприводом

GaN-кристали, які використовують в інтелектуальних силових модулях (Intelligent Power Module, IPM) для керування електроприводами з вбудованими лінеаризувальними конденсаторами, дають змогу значно зменшити втрати потужності, порівнюючи з кремнієвими технологіями.

1
2024
Бернхард Айхлер (Bernhard Eichler), Еміліано Меза (Emiliano Meza); Адаптований переклад українською та технічне редагування: Володимир Павловський
Простий підхід до збільшення вихідної потужності для відновлюваних джерел енергії та електроприводів

Силовий модуль SEMITRANS 20 відповідає зростаючим вимогам до потужності перетворювачів для відновлюваних джерел енергії та потужних електроприводів, що вимагають більшої густини потужності. Вихідна потужність перетворювачів постійно зростає, а новітні вітрові турбіни тепер здатні виробляти до 15 МВт. Таке збільшення потужності ставить нові виклики перед розробниками, особливо в галузі відновлюваних джерел енергії та електроприводів, тому що воно досягається шляхом підвищення напруги, струму або того та другого одночасно.

5
2023
Кенжі Хаторі (Kenji Hatori), Нілс Солтау (Nils Soltau), Ойген Штумпф (Eugen Stumpf)
SiC­-модулі Mitsubishi Electric: новий рівень енергоефективності електропоїздів

Протягом останніх років на світовому ринку напівпровідників (н/п) у малому та середньому діапазоні потужностей спостерігається стійка тенденція щодо заміщення класичних кремнієвих транзисторних модулів карбід­-кремнієвими аналогами (SiC). Це дає змогу створювати більш компактні промислові перетворювачі, інвертори для відновлюваної енергетики, ДБЖ, а також підвищує їхню ефективність. У статті йдеться про переваги, які дають SiC­-модулі для високопотужних тягових перетворювачів.

5
2023
Володимир Кондратьєв
Паралельне включення MOSFET у лінійних схемах

У статті розглядається розв’язання задачі паралельного ввімкнення силових MOSFET у лінійних схемах з метою збільшення максимально допустимого вихідного струму.

4
2023
Бернхард Айхлер (Bernhard Eichler); Адаптований переклад українською та технічне редагування: Володимир Павловський
Інтегрований силовий модуль забезпечує тепер на 25 % більше потужності

Модуль SKiiP 4 від Semikron Danfoss тепер оснащений новим високопродуктивним охолоджувачем із ребрами спеціальної форми, який оптимізовано для конструкцій без базової плити та для різноманітних конфігурацій площ діода і чипа IGBT, що забезпечують значні переваги у функціонуванні як зі сторони генератора, так і, наприклад, в мережі компактних перетворювачів для вітроенергетики.

4
2023
Метью Фетадо (Matthew Feutado), Деніел Мартін (Daniel Martin); Переклад: Євген Карташов, Валерія Смирнова
Компактний і легкий тяговий інвертор потужністю 600 кВт на SiC MOSFET­-модулях Wolfspeed

Тяговий привід — це вузол, де споживається майже вся енергія електромобіля (EV). Тому привідна система має працювати з найбільшою ефективністю, мати малу вагу і займати мінімально можливий простір — все це необхідно для максимального збільшення пробігу EV. Через використання здвоєних приводів для підвищення тягових характеристик, а також архітектури 800 В для зниження втрат промисловість потребує інверторів, що забезпечують збільшення вихідної потужності завдяки меншим габаритам і значно перевершують за густиною потужності можливості технологій на основі кремнію (Si), таких як IGBT.
Силові карбідокремнієві (SiC) модулі останнього покоління Wolfspeed розроблені для задоволення цих вимог завдяки зниженню втрат, збільшенню густини потужності та зменшенню габаритів. У статті описано еталонну конструкцію здвоєного трифазного інвертора CRD600DA12E­XM3 і показано, як його компоненти, включно із силовим модулем CAB450M12XM3 із драйвером CGD12HBXMP, створюють поряд з іншими ключовими технологіями рішення для тягових приводів електромобілів наступного покоління.

4
2023
Пол Шимель (Paul L. Schimel)
Вплив радіації на силові напівпровідники в джерелах живлення

Які функції виконують радіаційностійкі пристрої? Що визначає їхню стійкість до радіації? Як враховувати її під час проєктування? Як працюють ці компоненти? Як їх тестувати та перевіряти на відповідність? Усі ці та інші питання розглядаються в цій публікації.

3
2023
Пол Дрексхейдж (Paul Drexhage); Адаптований переклад українською та технічне редагування: Володимир Павловський
Партнерство заради надійного постачання промислових силових модулів

Користувачі потужних напівпровідників в останні роки почали потерпати від проблем через нестабільне постачання компонентів. Тому пошук альтернативних постачальників завжди є важливим моментом при розробці силових перетворювачів. Компанія Semikron Danfoss, як найбільший незалежний виробник силових модулів, має унікальні можливості для вирішення цієї проблеми. Разом зі своїм давнім партнером компанією ROHM Semiconductor вона додає до своєї лінійки модулів малої потужності новий повністю сумісний модуль 1200 В IGBT. Це допоможе зменшити дефіцит силових модулів і зробити ланцюг постачання таких модулів більш стабільним та надійним.

3
2023
Ялцин Хаксоз (Yalcin Haksoz); Адаптований переклад українською та технічне редагування: Віталій Шевченко
Паралельне ввімкнення GaN-­транзисторів

Кремнієві MOSFET вже багато років використовують у перетворювачах потужності в паралельних конфігураціях, тоді як силові транзистори на основі GaN все ще залишаються новинкою для багатьох інженерів.

2
2023
Френк Стіглер (Frank Stiegler), Томас Гертген (Thomas Hurtgen); Адаптований переклад українською та технічне редагування: Сергій Поліщук
Компактні модулі IGBT MiniSKiiP: інструкція із застосування

Компактні модулі сімейства MiniSKiiP надзвичайно популярні на ринку силової електроніки. Сьогодні понад 20 млн таких силових схем працює в частотних перетворювачах провідних європейських виробників: Miller Electric, Schneider Toshiba Group, SEW Eurodrive, Siemens A&D, Silectron, Danfoss, Vacon. Близько 7 0% цих пристроїв — електропривод, виконавчі механізми промислових роботів, пресів і компресорів потужністю 5–40 кВт. Поява нових напівмостових модулів MiniSKiiP Dual дає змогу розширити діапазон до 100 кВт і більше, тепер вони можуть успішно конкурувати зі стандартними IGBT [1, 2].

2
2023
Деніел Пріндл (Daniel Prindle); Переклад і коментарі: Андрій Колпаков; Адаптований переклад українською та технічне редагування: Сергій Поліщук
Динамічні характеристики SiC­-діодів Шотткі

У статті описано основні особливості карбідокремнієвих діодів з бар’єром Шотткі (SiC SBD) і їхні відмінності від так званих тільних (технологічних) p-­n­-діодів MOSFET.

1
2023
Блаж Клобучар (Blazˇ Klobucˇar), Чуй Юань (Zhihui Yuan); Адаптований переклад українською та технічне редагування: Віталій Шевченко
1200­-В дискретні SiC MOSFET у порівнянні з високошвидкісними IGBT сімейства H3 для сервопривідних систем

У статті розглядаються переваги використання ключів CoolSiC MOSFET порівняно з високошвидкісними IGBT-­ключами сімейства H3 у сервопривідних системах. Зокрема, завдяки зниженню втрат застосування CoolSiC MOSFET відкриває нові можливості щодо вдосконалення систем.

1
2023
Сінін Чжан (Xuning Zhang), Томаш Кречек (Tomas Krecek), Найтеш Сатіш (Nitesh Satheesh)
Рекомендації компанії Microchip Technology щодо вибору SiC MOSFET для транспортних і промислових застосувань

У статті розглядаються вимоги до силових SiC MOSFET для транспорту та промислових застосувань. Описуються тести, які повинні проходити такі ключі.

9
2022
Клайс Вогель (KlausVogel), Ян Бауріхтер (Jan Baurichter), Віталі Вайс (Vitali Weiss), Крістіан Стенінгер (ChristianSteininger), Фабіан Северін (Fabian Severin); Переклад: Євген Карташов
Модулі серії Infineon EconoDUAL 3 Black: добре відомі переваги та нові особливості

У статті представлено оновлений модуль Infineon EconoDUAL 3 Black, описано, як забезпечується баланс між впровадженням нових функцій та збереженням перевірених і випробуваних властивостей. Аналізуються параметри нового модуля FF600R12BE7_B11(BE7), в якому використані технології IGBT 1200 В TRENCHSTOP IGBT7, та діодів EC7 з керованим емітером.

9
2022
Пол Дрексхейдж (Paul Drexhage), Стефан Хаузер (Stefan Houser); Переклад і коментарі: Андрій Колпаков
Вплив вологості та конденсації на роботу силових електронних систем

Загальновідомо, що вода в рідкій формі може негативно впливати на роботу електричних ланцюгів через наявність електропровідності та корозійної активності. Менш відомі, але не менш важливі ефекти, створювані водою в газоподібному стані. Тут ми більш детально розглянемо питання про те, як вологість і утворення конденсату впливає на роботу силових електронних систем, а також надамо рекомендації, що дають змогу мінімізувати цей вплив. У статті триває обговорення теми, розпочатої в нашому журналі в № 9, 2016 та № 1, 2017 [1].

9
2022

Використання силових дискретних напівпровідників WeEn Semiconductors для побудови більш надійних та ефективних ДБЖ

Світовий розвиток глобальної мережі (Internet+) та зростаючі потреби в обробці та зберіганні великих об’ємів даних (big­-data) призвели до значного зростання потреб у хмарних сховищах. Для задоволення цих потреб створюється велика кількість дата­центрів, що в свою чергу призводить до швидкого збільшення використання джерел безперебійного живлення (ДБЖ). У відповідь на таке збільшення ринкового попиту компанія WeEn Semiconductors пропонує свої дискретні силові напівпровідникові прилади для застосування в ДБЖ — передові силові діоди та тиристори.

8
2022
Пол Дрексхейдж (Paul Drexhage), Стефан Хаузер (Stefan Houser); Переклад і коментарі: Андрій Колпаков
Вплив вологості та конденсації на роботу силових електронних систем

Загальновідомо, що вода в рідкій формі може негативно впливати на роботу електричних ланцюгів через наявність електропровідності та корозійної активності. Менш відомі, але не менш важливі ефекти, створювані водою в газоподібному стані. Тут ми більш детально розглянемо питання про те, як вологість і утворення конденсату впливає на роботу силових електронних систем, а також надамо рекомендації, що дають змогу мінімізувати цей вплив. У статті триває обговорення теми, розпочатої в нашому журналі в № 9, 2016 та № 1, 2017 [1].

8
2022
Екхард Таль (Eckhard Thal), Дзюндзі Ямада (Junji Yamada), Віктор Толстоп’ятов
Підвищуючи швидкість: SiC-­модулі Mitsubishi Electric

Розвиток технологій в галузі SiC швидко просувається — завершується розробка кристалів на 6.5 кВ. У цій статті представлено огляд останніх досягнень компанії Mitsubishi Electric у сфері дослідження, розробок і застосування SiC-­модулів. Особлива увага приділяється високовольтним SiC-­модулям.

8
2022
Рене Мент (Rene' Mente)
Доцільність переходу з Si­- на SiC­-технологію

У міру того, як карбідокремнієві пристрої набувають все більшого поширення в низьковольтних застосуваннях, необхідно чітко розуміти, в яких випадках розумніше використовувати SiC MOSFET замість кремнієвих ключів.

7
2022
Роберто Агостіні (Roberto Agostini); Переклад та коментарі: Андрій Колпаков
Надкомпактні модулі SEMITOP: інструкція із застосування

В асортименті продукції компанії SEMIKRON компоненти серії SEMITOP — найкомпактніші. Вони розглядаються як альтернатива дискретним транзисторам, призначеним для перетворювачів потужністю від одиниць до десятків кіловат. При цьому модулі SEMITOP випускаються в ізольованих корпусах і містять практично всі застосовувані в силовій електроніці перетворювальні та випрямні схеми. Статтю присвячено особливостям експлуатації цих унікальних модулів.

7
2022

Дискретні SiC­-діоди та транзистори у корпусах TO­-247 від Mitsubishi Electric

У статті описані лінійки дискретних діодів та MOSFET-­транзисторів на основі карбід­-кремнію у двох типах корпусів, показаний модельний ряд, розкрито основні характеристики.

6
2022
Пол Дрекседж (Paul Drexhage), Арент Вінтріч (Arendt Wintrich); Переклад з англійської та коментарі: Андрій Колпаков; Технічний консультант: Тарас Мисак
Вбудований термодавач та «віртуальна» температура кристала: як використовувати сенсор для аналізу теплових режимів силового модуля

Багато сучасних силових модулів мають у своєму складі давач температури, як правило, чип­резистор, встановлений на ізолюючій DBC­підкладці. Насамперед це необхідно для роботи схеми захисту від перегріву, але є ще одне законне питання: чи можна використовувати вбудований сенсор для визначення «віртуальної» температури кристалів? Існує кілька варіантів вирішення проблеми, що залежать від необхідної точності та мети виміру. У цій статті описані два можливі методи, що відрізняються складністю реалізації.
Пояснення даються на прикладі трифазного дворівневого IGBT­-інвертора, але все сказане можна застосувати і до інших схем та напівпровідникових приладів. Описані методики розрахунку відносяться до вбудованих давачів температури, проте вони придатні при використанні зовнішніх сенсорів (наприклад, встановлених на радіаторі). Передбачається, що розрахунки реалізуються з допомогою цифрового процесора, що є на платі керування.

6
2022
Андрій Колпаков; Технічний консультант: Тарас Мисак
Модуль eMPack для транспортного приводу XXI століття

Підвищення надійності електричних тягових приводів потребує пошуку нових технологій та матеріалів, удосконалення процесів виробництва силових модулів. Помітним кроком на цьому шляху стало впровадження компанією SEMIKRON технологій двостороннього низькотемпературного спікання DSS (double sided sintering) та прямого притискного підключення чипів DPD (direct pressed die), використаних для розробки транспортного модуля eMPack. Це дозволило суттєво знизити ризик розвитку втомних процесів у паяних та зварних з’єднаннях та забезпечити високу стійкість до термоциклювання. Для допомоги розробникам у освоєнні інноваційного технічного рішення SEMIKRON розробив налагоджувальний комплект eMPack Application Kit.

4
2022
Франческо ді Доменіко (Francesco Di Domenico); Адаптований переклад українською та технічне редагування: Андрій Мовчанюк
Вибір топології імпульсних силових каскадів

До переваг комутаційних пристроїв на основі широкозонних технологій GaN і SiC відноситься менший опір відкритого каналу і порівняно висока теплопровідність, що дозволяє поліпшити ефективність і працездатність кінцевого пристрою при більш високих температурах. В імпульсних джерелах живлення на основі GaN та SiC підвищується ККД та густина потужності. Однак для реалізації цих переваг недостатньо лише замінити кремнієві пристрої на широкозонні, а інколи вибір кремнієвої технології є оптимальним.

4
2022
Нілс Солтау (Nils Soltau), Екхард Тхал (Eckhard Thal), Тору Мацуока (Toru Matsuoka); Адаптований переклад українською та технічне редагування: Юлія Ямненко
Силові SiC­-модулі наступного покоління

Компанія Mitsubishi Electric випускає сильнострумні SiC­модулі для різних класів напруги, що широко відомі в галузі. В даний час виробляються 1200­- та 1700­-В силові SiC­-модулі другого покоління, характеристики яких стали краще, ніж у виробів першого покоління. Крім того, лінійка нових модулів стала ширшою. У кристали MOSFET силових SiC­-модулів з номінальною напругою 3300­- і 6500­-В вбудовано діоди Шотткі. В даній статті розглядаються результати останніх досліджень цієї передової технології.

4
2022
Геннадій Штрапенін
SiC­-діоди та транзистори від Onsemi — ефективне вирішення задач силової електроніки

Заснована в 1999 році компанія Onsemi (раніше компанія називалася ON Semiconductor) є одним із світових лідерів виробництва високоякісних дискретних компонентів силової електроніки — напівпровідникових діодів та транзисторів різних типів, призначених для роботи у потужній високовольтній апаратурі. Останнім часом у подібних пристроях все більше застосовуються прилади на основі широкозонного напівпровідника карбіду кремнію SiC, що мають переваги в порівнянні з кремнієвими. У статті розглянуто останні досягнення компанії Onsemi у галузі виробництва силових SiC­-діодів Шотткі та МОН­-транзисторів.

4
2022
Олександр Зейніков
Питання безпеки при використанні оптронів та альтернативних ізоляторів для захисту від ураження електричним струмом

Оптрони, так само, як і інші типи ізоляторів, знаходять широке застосування в рішеннях, де потрібна організація розв’язки керуючих сигналів і сигналів з високим рівнем напруги. Оптрони використовуються у високовольтному устаткуванні для забезпечення безпеки оператора. Застосування оптронів або альтернативних ізоляторів для забезпечення безпеки потребує відповідності їх характеристик існуючим стандартам та розуміння цих стандартів розробником.

4
2022
Андрій Колпаков; Технічний консультант: Тарас Мисак
Керування карбідом кремнію: драйвер для модуля SiC MOSFET 62 мм

За своїми характеристиками затвора транзистори SiC MOSFET помітно відрізняються від добре вивчених кремнієвих (Si) ключів. Карбідокремнієвим структурам притаманні деякі специфічні особливості, наприклад дрейф порогової напруги затвора VGS (th) SiC при тривалій експлуатації та деградація окисного шару при використанні негативної напруги вимкнення.
Проведені останніми роками дослідження дозволили досить добре вивчити властиві цим структурам температурні ефекти, зокрема нестабільність зсуву затвора (BTI — bias temperature instability). Визначення напруги керування VGS має проводитися з урахуванням усіх цих факторів. Вибір оптимального резистора RG також вимагає ретельного підходу, оскільки SiC­структури мають великий власний опір RGint.
У багатьох випадках для керування SiC MOSFET використовують стандартні драйвери IGBT зі зміщеним рівнем VG. Прикладом такого рішення може бути адаптерна плата з ядром SKYPER 42 LJ, описана в цій статті.

3
2022
Владан Мітов (Vladan Mitov), Чун Кеонг Ті (Chun Keong Tee)
Електробезпека оптичних ізоляторів в умовах можливих відмов у силових перетворювачах

У статті описано вплив можливих відмов незахищених IGBT на ізоляційний бар’єр драйверів затвора з оптичною ізоляцією компанії Broadcom.

3
2022
Рене Спенке (Rene Spenke), Нілс Солтау (Nils Soltau), Тору Матсуока (Toru Matsuoka), Віктор Толстоп’ятов; Адаптований переклад українською та технічне редагування: Андрій Мовчанюк
Високоефективні силові модулі на основі SiC для широкого спектру застосувань

В даний час силові транзисторні модулі на основі карбіду кремнію (SiC) знаходять все ширше застосування там, де потрібний підвищений ККД перетворювача або зниження його масогабаритних показників. Діапазон потужності таких застосувань дуже різноманітний: від побутових кондиціонерів та зарядних пристроїв до промислових та навіть тяглових залізничних приводів.
У статті наводиться актуальна інформація про останні розробки компанії Mitsubishi Electric у галузі SiC для широкого діапазону робочих напруг та потужностей у контексті використання модулів у різних застосуваннях.

3
2022
Вольфганг Франк (Wolfgang Frank); Адаптований переклад українською та технічне редагування: Андрій Мовчанюк
Простий метод керування швидкістю наростання напруги для підвищення енергоефективності

Зменшити динамічні втрати в елементах силової електроніки можна за рахунок керування швидкістю наростання напруги. Вона також пов’язана з рівнем електромагнітних завад (ЕМС). Необхідна швидкість наростання напруги, як правило, забезпечується шляхом вибору опору резистора в колі керування заслоном силового ключа. Однак, його не можна змінювати у процесі роботи пристрою. У цій статті розглядається варіант вирішення цієї проблеми за рахунок паралельного ввімкнення ІС драйверів заслону.

3
2022
Йохім Ламп (Joachim Lamp); Переклад та коментарі: Андрій Колпаков; Адаптований переклад українською: редакція журналу «CHIP NEWS»; Технічний консультант: Тарас Мисак
Сьоме покоління IGBT у трирівневих перетворювачах

Стаття продовжує тему, розпочату в «CHIP NEWS» № 1, 2022 р. Принцип роботи багаторівневої схеми простий: модулі або інверторні комірки з’єднуються послідовно, за рахунок цього напруга живлення пристрою може бути вище за блокуючу здатність окремих силових ключів. Подібне рішення дозволяє формувати багатоступінчасту вихідну напругу перетворювача, знизити рівень її гармонійних спотворень, зменшити габарити або взагалі відмовитися від дорогих та громіздких вихідних фільтрів.

2
2022
Бернард Айчлер (Bernhard Eichler), Андреас Гісман (Andreas Giessmann); Переклад та коментарі: Андрій Колпаков
IGBT Gen. 7 у трирівневих перетворювачах

Щоразу, коли якість сигналу та ефективність перетворення є основними вимогами, які пред’являються до силової електронної системи, розробники звертаються до трирівневих схем. Одним із таких прикладів небезпідставно вважають перетворювачі для відновлюваних джерел енергії, де використання найновішого, 7-­го покоління IGBT [1, 2] у 3L­-топології забезпечує кардинальне покращення характеристик.

1
2022


АНОНС ПОДІЙ

Вийшов 5-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік (БЕЗКОШТОВНО, в електронному вигляді)
БЕЗКОШТОВНО!!! 5-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік вийшов в електронному вигляді. докладніше

Вийшов 4-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік (БЕЗКОШТОВНО, в електронному вигляді)
БЕЗКОШТОВНО!!! 4-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік вийшов в електронному вигляді. докладніше

Вийшов 3-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік (БЕЗКОШТОВНО, в електронному вигляді)
БЕЗКОШТОВНО!!! 3-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік вийшов в електронному вигляді. докладніше

Вийшов 2-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік (БЕЗКОШТОВНО, в електронному вигляді)
БЕЗКОШТОВНО!!! 2-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік вийшов в електронному вигляді. докладніше

Вийшов 1-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік (БЕЗКОШТОВНО, в електронному вигляді)
БЕЗКОШТОВНО!!! 1-й номер журналу CHIP NEWS за 2023 рік вийшов в електронному вигляді. докладніше

Вийшов 9-10-й номер журналу CHIP NEWS за 2022 рік (в електронному вигляді)
До уваги передплатників журналу CHIP NEWS. 9-10-й номер журналу за 2022 рік вийшов в електронному вигляді докладніше

Вийшов 8-й номер журналу CHIP NEWS за 2022 рік (в електронному вигляді)
До уваги передплатників журналу CHIP NEWS. 8-й номер журналу за 2022 рік вийшов в електронному вигляді докладніше

Вийшов 7-й номер журналу CHIP NEWS за 2022 рік (в електронному вигляді)
До уваги передплатників журналу CHIP NEWS. 7-й номер журналу за 2022 рік вийшов в електронному вигляді докладніше

Вийшов 6-й номер журналу CHIP NEWS за 2022 рік (в електронному вигляді)
До уваги передплатників журналу CHIP NEWS. 6-й номер журналу за 2022 рік вийшов в електронному вигляді. докладніше

Вийшов 4-5-й номер журналу CHIP NEWS за 2022 рік (в електронному вигляді)
До уваги передплатників журналу CHIP NEWS. 4-5-й номер журналу за 2022 рік вийшов в електронному вигляді. докладніше

Вийшов 3-й номер журналу CHIP NEWS за 2022 рік (в електронному вигляді)
До уваги передплатників журналу CHIP NEWS. 3-й номер журналу за 2022 рік вийшов в електронному вигляді. докладніше

Вийшов 2-й номер журналу CHIP NEWS за 2022 рік (в електронному вигляді)
До уваги передплатників журналу CHIP NEWS. 2-й номер журналу за 2022 рік вийшов в електронному вигляді. докладніше





Все права защищены CHIP NEWS Ukraine 2006 статистика посещений Работа Создание сайта Создание сайта Media5