ПОДПИСКА НА ЖУРНАЛ ОН-ЛАЙН ФОРУМ
  русская версия   english version home   |   mail   |   tree
Главная О журнале Архив Подписка Размещение рекламы Контакты
chip
 Рубрикатор

ТЕКУЩИЙ НОМЕР

#7 2018

#7 2018

КОНТАКТЫ

Тел./факс: (+38044) 490-74-99
Тел. (+38044) 490-74-30
E-mail: info@chipnews.com.ua





Рубрикатор


Андрей Бреднев
Силовые полевые транзисторы STMicroelectronics
Компания STMicroelectronics является одним из мировых лидеров в разработке и производстве полупроводниковых решений во многих областях микроэлектроники. Линейка продукции компании содержит как простейшие полупроводниковые дискретные компоненты, так и сложные высокопроизводительные сигнальные процессоры. В данной статье речь пойдет о силовых полевых транзисторах, в производстве которых компания занимает одну из лидирующих позиций в мире.
№5
2010

МОП-транзисторы NXP TrenchMOS в корпусе LFPAK
В статье приведен сравнительный анализ корпусов DPAK и LFPAK при их использовании в автомобильной электронике.
№4
2010
Стивен Теувен (Steven Theeuwen)
Транзисторы LDMOS для сотовых технологий и инфраструктуры
Технология металло­оксидных полупроводников с поверхностной диффузией (LDMOS) была выведена на рынок источников питания для радиопередатчиков более 10 лет назад компаниями Motorola-Freescale и Philips-NXP в качестве замены биполярным устройствам. В настоящее время МОП-транзисторы LDMOS широко применяются в источниках питания для разных категорий радиопередатчиков, таких как базовые станции, оборудование для широкого вещания и микроволновые радарные системы.
№3
2010
Виталий Шевченко
Новые поколения низковольтных полевых транзисторов компании International Rectifier
В электронной промышленности происходит непрерывный поиск путей снижения размеров и стоимости продукции. Производство компонентов для поверхностного монтажа представляет собой важное направление в этом поиске. Компания International Rectifier, имея 30-летний опыт в выращивании кристаллов, предлагает инновационные решения при изготовлении эффективных компонентов. В статье описаны транзисторы последних поколений и приведены их преимущества при сравнении с транзисторами предыдущих поколений.
№1
2010
Тим МакДональд
Технологическая революция для полевых транзисторов от компании International Rectifier
Компания International Rectifier объявила об успешной разработке новой платформы силовых полупроводниковых приборов, основанной на применении революционной галлий-нитридной технологии. Новая технология обеспечивает более чем десятикратное преимущество по сравнению с лучшими современными кремниевыми технологиями. В статье будет дан краткий обзор этой технологии и приведены примеры ее эффективности.
№6
2009
В. Голуб
О выходном коллекторном сопротивлении биполярного транзистора
Дан анализ выходной коллекторной цепи транзистора и показана ее независимость от схемы включения транзистора – с общей базой или с общим эмиттером. Дано выражение для выходного коллекторного сопротивления в функции от соотношения сопротивлений эмиттерной и базовой цепей, приведенных к одной из них. Даны примеры устройств с повышенным выходным сопротивлением – эквивалентного транзистора с отрицательной обратной связью через операционный усилитель и токового зеркала с каскодным включением выходных транзисторов.
№3
2005


АНОНС СОБЫТИЙ

Технический семинар для разработчиков электроники
Компании Wurth Elektronik, Rohde&Schwarz и «Симметрон-Украина» приглашают Вас посетить технический семинар: подробнее





Все права защищены CHIP NEWS Ukraine 2006 статистика посещений Работа Создание сайта Создание сайта Media5