ПОДПИСКА НА ЖУРНАЛ ОН-ЛАЙН ФОРУМ
  русская версия   english version home   |   mail   |   tree
Главная О журнале Архив Подписка Размещение рекламы Контакты
chip
 Рубрикатор

ТЕКУЩИЙ НОМЕР

#7 2018

#7 2018

КОНТАКТЫ

Тел./факс: (+38044) 490-74-99
Тел. (+38044) 490-74-30
E-mail: info@chipnews.com.ua





Рубрикатор


С. Волков, А. Ефишин, С. Морозов, С. Соколов
Проблема электростатического разряда и современные методы защиты интегральных схем от него. Часть 3
№9
2003
С. Волков, А. Ефишин, С. Морозов, С. Соколов
Проблема электростатического разряда и современные методы защиты интегральных схем от него. Часть 2

 

№8
2003
С. Волков, А. Ефишин, С. Морозов, С. Соколов
Проблема электростатического разряда и современные методы защиты интегральных схем от него. Часть 1
Статья открывает цикл публикаций, посвященных проблемам статического электричества в микроэлектронике и методам предотвращения или ослабления его влияния на параметры и характеристики интегральных схем (ИС).
В отличие от предшествующих публикаций, в статьях цикла будут рассмотрены, главным образом, технологические и топологические методы, конструктивные элементы и средства для борьбы с электростатическими разрядами непосредственно на кристалле ИС.
№7
2003
И. Катеринич, В. Попов
Метод для диагностики технологического процесса изготовления МОП ИС с использованием радиационно-термических процессов
Плёнки оксида кремния (SiO2) на кремнии в настоящее время широко используются в планарных изделиях — полупроводниковых приборах (ПП) и интегральных схемах (ИС) на их основе. Качество оксидной плёнки в значительной степени определяет такие характеристики ПП и ИС, как процент выхода годных изделий в производстве и надёжность при эксплуатации. Одной из основных характеристик этих плёнок является их дефектность, то есть плотности дефектов в объёме оксида и на его границе раздела с кремнием. Эти дефекты накапливают заряд как в процессе производства планарных изделий, так и при их эксплуатации. Наиболее сильно эффект накопления заряда проявляется при эксплуатации в условиях воздействия проникающей радиации (на борту космических аппаратов, рядом с ядерно-энергетическими установками и т.п.) [1]. Чувствительность ПП и ИС к воздействию радиации представляет интерес не только с точки зрения работоспособности ПП и ИС в аппаратуре специального назначения, но и как средство диагностики дефектности оксидных плёнок в планарных изделиях. В связи с этим обращает на себя внимание метод радиационно-термической обработки (РТО) [2].
№7
2003
В. Стешенко
Схемотехническое проектирование микроэлектронных устройств: чему, как и зачем учить будущих разработчиков устройств обработки сигналов
Данная статья планировалась автором довольно давно. Как ни странно, в наш бурный век “пара и электричества” преподавание основ проектирования микроэлектронных устройств остаётся неизменным в течении последних 20 лет.
№4
2001


АНОНС СОБЫТИЙ

Технический семинар для разработчиков электроники
Компании Wurth Elektronik, Rohde&Schwarz и «Симметрон-Украина» приглашают Вас посетить технический семинар: подробнее





Все права защищены CHIP NEWS Ukraine 2006 статистика посещений Работа Создание сайта Создание сайта Media5